FM31256-G-TR

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FM31256-G-TR 技术参数

FM31256-GTR 功能描述:监控电路 256K w/RTC Pwr Mon WDT Bat Sw PF RoHS:否制造商:STMicroelectronics 监测电压数: 监测电压: 欠电压阈值: 过电压阈值: 输出类型:Active Low, Open Drain 人工复位:Resettable 监视器:No Watchdog 电池备用开关:No Backup 上电复位延迟（典型值）:10 s 电源电压-最大:5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UDFN-6 封装:Reel FM31256-G 功能描述:监控电路 256K w/RTC Pwr Mon WDT Bat Sw PF RoHS:否制造商:STMicroelectronics 监测电压数: 监测电压: 欠电压阈值: 过电压阈值: 输出类型:Active Low, Open Drain 人工复位:Resettable 监视器:No Watchdog 电池备用开关:No Backup 上电复位延迟（典型值）:10 s 电源电压-最大:5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UDFN-6 封装:Reel FM28V102A-TG 功能描述:IC FRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOPII 制造商:cypress semiconductor corp 系列:F-RAM? 包装:托盘零件状态:有效格式 - 存储器:RAM 存储器类型:FRAM（Ferroelectric RAM）存储容量:1M（64K x 16）速度:60ns 接口:并联电压 - 电源:2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）供应商器件封装:44-TSOP II 标准包装:135 FM28V100-TGTR 功能描述:F-RAM 1M (128Kx8) 2.2-3.6V F-RAM RoHS:否存储容量:512 Kbit 组织:64 K x 8 接口:SPI 工作电源电压:2 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube 制造商:Cypress Semiconductor FM28V100-TG 功能描述:F-RAM 1M (128Kx8) 2.2-3.6V F-RAM RoHS:否存储容量:512 Kbit 组织:64 K x 8 接口:SPI 工作电源电压:2 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube 制造商:Cypress Semiconductor FM31L278-GTR FM33256B-G FM33256B-GTR FM3560M20X FM3900001Z FM3DZ11P5101MLF FM3DZ11P5102MLF FM3DZ11P5103MLF FM3DZ11P5105MLF FM3DZ11P5110MLF FM3DZ11P5115MLF FM3DZ11P5120MLF FM3DZ22P5101MLF FM3DZ22P5102MLF FM3DZ22P5103MLF FM3DZ22P5105MLF FM3DZ22P5110MLF FM3DZ22P5115MLF