FR1502E-10

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FR1502E-10
深圳市企诺德电子有限公司
深圳市企诺德电子有限公司
联系人：胡
电话：13480313979
地址：深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB
资质：营业执照
15000
WD
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FR1502E-10 技术参数

FR12M05 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:12A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:800mV @ 12A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:500ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-4 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5 FR12JR02 功能描述:DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准型，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:12A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:800mV @ 12A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:250ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-4 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5 FR12G05 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 12A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:12A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:800mV @ 12A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:500ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-4 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5 FR1113F-TR 功能描述:Red 626nm LED Indication - Discrete 1.9V 2-SMD, No Lead 制造商:stanley electric co 系列:1113F 包装:剪切带（CT）零件状态:过期颜色:红透镜颜色:白透镜透明度:散射毫烛光等级:50mcd 透镜样式/尺寸:矩形，带圆顶，1.70mm x 0.60mm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.9V 电流 - 测试:20mA 视角:134°，150° 安装类型:表面贴装，直角波长 - 主:626nm 波长 - 峰值:635nm 特性:- 封装/外壳:2-SMD，无引线供应商器件封装:- 大小/尺寸:2.10mm 长 x 1.00mm 宽高度（最大值）:0.60mm 标准包装:1 FR1112H-TR 功能描述:Red 626nm LED Indication - Discrete 1.9V 0805 (2012 Metric) 制造商:stanley electric co 系列:1112H 包装:剪切带（CT）零件状态:有效颜色:红透镜颜色:白透镜透明度:散射毫烛光等级:50mcd 透镜样式/尺寸:矩形，带平顶，1.20mm x 1.25mm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.9V 电流 - 测试:20mA 视角:148°，145° 安装类型:表面贴装波长 - 主:626nm 波长 - 峰值:635nm 特性:- 封装/外壳:0805（2012 公制）供应商器件封装:2125 大小/尺寸:2.00mm 长 x 1.25mm 宽高度（最大值）:0.90mm 标准包装:1 FR152G A0G FR152G B0G FR152G R0G FR152GHA0G FR152GHB0G FR152GHR0G FR152TA FR153G A0G FR153G B0G FR153G R0G FR153GHA0G FR153GHB0G FR153GHR0G FR153TA FR154G A0G FR154G B0G FR154G R0G FR154GHA0G