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FR156GHA0G

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FR156GHA0G 技术参数
  • FR12M05 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 电流 - 平均整流(Io):12A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):800mV @ 12A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):500ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商器件封装:DO-4 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5 FR12JR02 功能描述:DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准型, 反极性 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):12A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):800mV @ 12A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):250ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商器件封装:DO-4 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5 FR12G05 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 12A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 电流 - 平均整流(Io):12A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):800mV @ 12A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):500ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商器件封装:DO-4 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5 FR1113F-TR 功能描述:Red 626nm LED Indication - Discrete 1.9V 2-SMD, No Lead 制造商:stanley electric co 系列:1113F 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 颜色:红 透镜颜色:白 透镜透明度:散射 毫烛光等级:50mcd 透镜样式/尺寸:矩形,带圆顶,1.70mm x 0.60mm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.9V 电流 - 测试:20mA 视角:134°,150° 安装类型:表面贴装,直角 波长 - 主:626nm 波长 - 峰值:635nm 特性:- 封装/外壳:2-SMD,无引线 供应商器件封装:- 大小/尺寸:2.10mm 长 x 1.00mm 宽 高度(最大值):0.60mm 标准包装:1 FR1112H-TR 功能描述:Red 626nm LED Indication - Discrete 1.9V 0805 (2012 Metric) 制造商:stanley electric co 系列:1112H 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 颜色:红 透镜颜色:白 透镜透明度:散射 毫烛光等级:50mcd 透镜样式/尺寸:矩形,带平顶,1.20mm x 1.25mm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.9V 电流 - 测试:20mA 视角:148°,145° 安装类型:表面贴装 波长 - 主:626nm 波长 - 峰值:635nm 特性:- 封装/外壳:0805(2012 公制) 供应商器件封装:2125 大小/尺寸:2.00mm 长 x 1.25mm 宽 高度(最大值):0.90mm 标准包装:1 FR157TA FR16B02 FR16B05 FR16BR02 FR16BR05 FR16D02 FR16D05 FR16DR02 FR16DR05 FR16G02 FR16G05 FR16GR02 FR16GR05 FR16IOSERV-0A FR16IOSERV-0B FR16J02 FR16J05 FR16JR02
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