FW374WFBR1全国供应商【买卖IC网】FW374WFBR1资料|PDF Datasheet|价格 Pericom

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批号
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说明
操作

FW374WFBR1
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008-1009室
资质：营业执照
5000
Pericom
标准封装
16+
-
假一罚十，原装正品

FW374WFBR1
深圳成德兴科技有限公司
深圳成德兴科技有限公司
联系人：马庆勇
电话：0755-82567711
地址：深南中路佳和电子大厦（华强三店）三楼3C072室
资质：营业执照
21020
Pericom Semiconductor
SMD
22+
-
原装现货可含税样品可拆

FW374WFBR1
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

FW374WFBR1
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
DIODES(美台)
SMD-4
刚到货
-
代理可含税开票

FW374WFBR1
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
2791
Diodes Incorporated
N/A
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存

FW374WFBR1
深圳市轩盛达电子有限公司
深圳市轩盛达电子有限公司
联系人：陈
电话：1588932848313924772445
地址：深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103
10000
-
原厂原装现货，代找紧缺料

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1

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FW374WFBR1 技术参数

FW349-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 45V 5A/4.5A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:45V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A，4.5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:37 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:860pF @ 20V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 FW342-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A，5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:33 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:850pF @ 10V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 FW248-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 45V 6A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:45V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:34 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:23nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1040pF @ 20V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 FW231A-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1530pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 FW1120G01 功能描述:General Purpose Relay DPDT (2 Form C) Chassis Mount 制造商:te connectivity aerospace, defense and marine 系列:军用，MIL-R-5757/10，FW，CII 包装:散装零件状态:在售继电器类型:通用线圈类型:无锁存线圈电流:- 线圈电压:26.5VDC 触头外形:DPDT（2 C 型）额定接触（电流）:2A 开关电压:28VDC - 标称导通电压（最大值）:13 VDC 关闭电压（最小值）:2.3 VDC 工作时间:6ms 释放时间:6ms 特性:- 安装类型:底座安装端子类型:焊接钩触头材料:- 线圈功率:- 线圈电阻:- 工作温度:-65°C ~ 125°C 标准包装:1 FW-38-01-F-D-350-075 FW-38-01-F-D-350-100 FW-38-01-F-D-425-065 FW-38-01-F-D-425-075 FW-38-01-F-D-425-100 FW-38-01-G-D-200-065 FW-38-01-G-D-200-075 FW-38-01-G-D-200-100 FW-38-01-G-D-250-065 FW-38-01-G-D-250-075 FW-38-01-G-D-250-100 FW-38-01-G-D-350-065 FW-38-01-G-D-350-075 FW-38-01-G-D-350-100 FW-38-01-G-D-425-065 FW-38-01-G-D-425-075 FW-38-01-G-D-425-100 FW-38-01-L-D-200-065

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