FW80200M400SL676

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FW80200M400SL676
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008-1009室
资质：营业执照
5000
Intel
标准封装
16+
-
假一罚十

FW80200M400SL676
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：谭玉丽
电话：19129491949(手机优先微信同号)0755-83267816
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
10001
Intel
241-BGA
12+
-
授权分销现货热卖

FW80200M400SL676
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
853240
INT
原厂封装
最新批号
-
一级代理，原装正品现货！！

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功能描述
IC I/O PROCESSOR 400MHZ 241-BGA
RoHS
否
类别
集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微处理器
系列
-
标准包装
2
系列
MPC8xx
处理器类型
32-位 MPC8xx PowerQUICC
特点
-
速度
133MHz
电压
3.3V
安装类型
表面贴装
封装/外壳
357-BBGA
供应商设备封装
357-PBGA（25x25）
包装
托盘

FW80200M400SL676 技术参数

FW349-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 45V 5A/4.5A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:45V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A，4.5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:37 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:860pF @ 20V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 FW342-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A，5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:33 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:850pF @ 10V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 FW248-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 45V 6A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:45V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:34 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:23nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1040pF @ 20V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 FW231A-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1530pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 FW1120G01 功能描述:General Purpose Relay DPDT (2 Form C) Chassis Mount 制造商:te connectivity aerospace, defense and marine 系列:军用，MIL-R-5757/10，FW，CII 包装:散装零件状态:在售继电器类型:通用线圈类型:无锁存线圈电流:- 线圈电压:26.5VDC 触头外形:DPDT（2 C 型）额定接触（电流）:2A 开关电压:28VDC - 标称导通电压（最大值）:13 VDC 关闭电压（最小值）:2.3 VDC 工作时间:6ms 释放时间:6ms 特性:- 安装类型:底座安装端子类型:焊接钩触头材料:- 线圈功率:- 线圈电阻:- 工作温度:-65°C ~ 125°C 标准包装:1 FW813-TL-H FW82439HXSU115 FW82439TXSL28T FW82443BXSL2VH FW906-TL-E FW907-TL-E FWA.1B.308.CLA FWA.1B.310.CLA FWA.MH.03C.XLZ FWA.SH.306.XLA FWA020005A-10A FWA020005A-10B FWA020005B-10A FWA020005B-10B FWA020009A-10A FWA020009A-10B FWA020009B-10A FWA020009B-10B