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FM31256-GTR

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  • 功能描述
  • 监控电路 256K w/RTC Pwr Mon WDT Bat Sw PF
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 监测电压数
  • 监测电压
  • 欠电压阈值
  • 过电压阈值
  • 输出类型
  • Active Low, Open Drain
  • 人工复位
  • Resettable
  • 监视器
  • No Watchdog
  • 电池备用开关
  • No Backup
  • 上电复位延迟(典型值)
  • 10 s
  • 电源电压-最大
  • 5.5 V
  • 最大工作温度
  • + 85 C
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • UDFN-6
  • 封装
  • Reel
FM31256-GTR 技术参数
  • FM31256-G 功能描述:监控电路 256K w/RTC Pwr Mon WDT Bat Sw PF RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 监测电压数: 监测电压: 欠电压阈值: 过电压阈值: 输出类型:Active Low, Open Drain 人工复位:Resettable 监视器:No Watchdog 电池备用开关:No Backup 上电复位延迟(典型值):10 s 电源电压-最大:5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UDFN-6 封装:Reel FM28V102A-TG 功能描述:IC FRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOPII 制造商:cypress semiconductor corp 系列:F-RAM? 包装:托盘 零件状态:有效 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:FRAM(Ferroelectric RAM) 存储容量:1M(64K x 16) 速度:60ns 接口:并联 电压 - 电源:2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP II 标准包装:135 FM28V100-TGTR 功能描述:F-RAM 1M (128Kx8) 2.2-3.6V F-RAM RoHS:否 存储容量:512 Kbit 组织:64 K x 8 接口:SPI 工作电源电压:2 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube 制造商:Cypress Semiconductor FM28V100-TG 功能描述:F-RAM 1M (128Kx8) 2.2-3.6V F-RAM RoHS:否 存储容量:512 Kbit 组织:64 K x 8 接口:SPI 工作电源电压:2 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube 制造商:Cypress Semiconductor FM28V020-TGTR 功能描述:F-RAM 256Kb FRAM 2.0V-3.6V FRAM RoHS:否 存储容量:512 Kbit 组织:64 K x 8 接口:SPI 工作电源电压:2 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube 制造商:Cypress Semiconductor FM31L278-GTR FM33256B-G FM33256B-GTR FM3560M20X FM3900001Z FM3DZ11P5101MLF FM3DZ11P5102MLF FM3DZ11P5103MLF FM3DZ11P5105MLF FM3DZ11P5110MLF FM3DZ11P5115MLF FM3DZ11P5120MLF FM3DZ22P5101MLF FM3DZ22P5102MLF FM3DZ22P5103MLF FM3DZ22P5105MLF FM3DZ22P5110MLF FM3DZ22P5115MLF
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