FDA24N50
库存数量:511
制造商:Fairchild Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN
RoHS:无铅 / 符合
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价格行情(美元)
价格 单价 总价
1 3.79000 3.79
10 3.38000 33.80
25 3.04160 76.04
100 2.77140 277.14
250 2.50100 625.25
500 2.24416 1,122.08
1,000 1.89266 1,892.66
2,500 1.79803 4,495.07
5,000 1.73043 8,652.16
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FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 24A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 190 毫欧 @ 12A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 85nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 4150pF @ 25V
功率 - 最大 270W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装 TO-3PN
包装 管件
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P1dB 20.5dBm(112.2mW)
增益 19.3dB
噪音数据 5.5dB
RF 型 -
电源电压 5V
电流 - 电源 90mA
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漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 6.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 28 毫欧 @ 2A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 700mV @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 10.6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 740pF @ 10V
功率 - 最大 1.75W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SC-74,SOT-457
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漏极至源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 385 毫欧 @ 4.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1240pF @ 100V
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电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 6.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 28 毫欧 @ 2A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 700mV @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 10.6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 740pF @ 10V
功率 - 最大 1.75W
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