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参数资料
| 型号： | FDS4501H |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30/20V 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V，20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.3A，5.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 9.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1958pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS4501HFSDKR |
Typical Characteristics Q1
10
3000
f = 1 MHz
8
I D = 9.3A
V DS = 5V
15V
10
2500
C ISS
V GS = 0 V
2000
6
1500
4
1000
2
500
C OSS
0
0
C RSS
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 17. Gate Charge Characteristics.
100
30
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 18. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
100 μ s
25
R θ J A = 125°C/W
10
R DS(ON) LIMIT
1ms
10ms
20
T A = 25°C
100ms
1s
1
0.1
V GS = 10V
SINGLE PULSE
10s
DC
15
10
R θ JA = 125 C/W
0.01
o
T A = 25 o C
5
0
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 19. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 20. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.2
R θ JA (t) = r(t) + R θ JA
R θ JA = 125 C/W
0.1
0.1
o
0.05
P(pk)
0.02
0.01
0.01
t 1
t 2
SINGLE PULSE
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 21. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDS4501H Rev C(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS4559 | MOSFET N/P-CH 60V 4.5/3.5A SO-8 |
| FDS4672A | MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC |
| FDS4675_F085 | MOSFET P-CH 40V 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS4559 | 功能描述:MOSFET 60V/-60V N/P RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4559 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDS4559_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V Complementary PowerTrench???MOSFET |
| FDS4559_F085 | 功能描述:MOSFET 60V Complementary PowerTrench MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4672A | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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