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参数资料
| 型号： | FDS6673BZ_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.8 毫欧 @ 14.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 124nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4700pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
8
6000
C iss
6
V DD = -10V
V DD = -15V
V DD = -20V
1000
C rss
C oss
4
2
f = 1MHz
V GS = 0V
0
0
20
40
60
80
100
100
0.1
1
10
30
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
1000
100
- V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain to Source Voltage
40
10
1
T J = 150 o C
10
T J = 25 o C
0.1
0.01
1E-3
T J = 25 o C
T J = 125 o C
10
10
10
10
10
10
1E-4
0
5
10
15 20
25
30
35
1
-2
-1
0
1
2
3
-V GS (V)
Figure 9. I g vs V GS
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 10. Unclamped Inductive Switching
Capability
16
12
100
10
100 μ s
1ms
V GS = -10V
10 ms
8
4
V GS = -4.5V
1
0.1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
100 ms
1s
T C = 25 C
R θ JA = 125 o C/W
o
10s
DC
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.01
0.1
1
10
100
500
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( o C )
Figure 11. Maximum Continuous Drain Current vs
Ambient Temperature
-V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 12. Forward Bias Safe Operating Area
FDS6673BZ _F08 5 Rev. A
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6673BZ | MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC |
| FDS6675BZ | MOSFET P-CH 30V 8-SOIC |
| FDS6675 | MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC |
| FDS6676AS | MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC |
| FDS6679AZ | MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6675 | 功能描述:MOSFET SO-8 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6675 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SO-8 |
| FDS6675_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET |
| FDS6675A | 功能描述:MOSFET 30V P-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6675BZ | 功能描述:MOSFET -30V P-Channel PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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