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参数资料
| 型号： | FDS6673BZ_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.8 毫欧 @ 14.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 124nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4700pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
10
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
4
10
10
3
2
10
V GS = -10V
SINGLE PULSE
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
1
0.5
10
10
10
10
10
10
-4
-3
-2
-1
1
10
2
3
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 13. Junction-to-Case Transient Thermal Response Curve
2
1
0.1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
P DM
0.01
0.01
t 1
R θ JA = 125 C/W
1E-3
SINGLE PULSE
o
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
10
10
10
10
10
10
1E-4
-4
-3
-2
-1
1
10
2
3
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)
Figure 14. Junction-to-Ambient Transient Thermal Response Curve
FDS6673BZ _F085 Rev. A
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6673BZ | MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC |
| FDS6675BZ | MOSFET P-CH 30V 8-SOIC |
| FDS6675 | MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC |
| FDS6676AS | MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC |
| FDS6679AZ | MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6675 | 功能描述:MOSFET SO-8 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6675 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SO-8 |
| FDS6675_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET |
| FDS6675A | 功能描述:MOSFET 30V P-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6675BZ | 功能描述:MOSFET -30V P-Channel PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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