- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录371732 > FF200R06KL2 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 200A I(C) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | FF200R06KL2 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 200A I(C) |
| 中文描述： | 晶体管| IGBT功率模块|独立| 600V的五（巴西）国际消费电子展| 200安培我（丙） |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 365K |
| 代理商： | FF200R06KL2 |
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FF200R12KF | PHOTO MICROSENSOR |
| FF200R12KF2 | PHOTO MICROSENSOR |
| FF200R12KL | PHOTO MICROSENSOR |
| FF200R33KF2V | PHOTO MICROSENSOR |
| FF200R10KF2 | Photo Microsensor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FF200R06ME3 | 功能描述:IGBT 模块 IGBT 600V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FF200R06YE3 | 功能描述:IGBT 模块 IGBT 600V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FF200R06YE3ENG | 功能描述:IGBT 模块 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FF200R10KF2 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 |
| FF200R12KE3 | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V 200A DUAL RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。