型号: | FF200R10KF2 |
英文描述: | Photo Microsensor |
中文描述: | 晶体管| IGBT的|正陈|双| 1KV交五(巴西)国际消费电子展| 200安培一(c)|米:HL093HW048 |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 57K |
代理商: | FF200R10KF2 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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FF25R06KF | PHOTO MICROSENSOR |
FF25R06KF2 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 25A I(C) | M:HL080HD5.3 |
FF25R10K | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 25A I(C) | MODULE-S |
FF25R10KF2 | PHOTO MICROSENSOR |
FF25R12KF | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 25A I(C) | M:HL080HD5.3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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FF200R12KE3 | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V 200A DUAL RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
FF200R12KE3_B2 | 功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 295A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
FF200R12KE4 | 功能描述:IGBT 模块 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
FF200R12KF | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 |
FF200R12KF2 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HD5.6 |