参数资料
型号: FF200R10KF2
英文描述: Photo Microsensor
中文描述: 晶体管| IGBT的|正陈|双| 1KV交五(巴西)国际消费电子展| 200安培一(c)|米:HL093HW048
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代理商: FF200R10KF2
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PDF描述
FF25R06KF PHOTO MICROSENSOR
FF25R06KF2 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 25A I(C) | M:HL080HD5.3
FF25R10K TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 25A I(C) | MODULE-S
FF25R10KF2 PHOTO MICROSENSOR
FF25R12KF TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 25A I(C) | M:HL080HD5.3
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参数描述
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FF200R12KE4 功能描述:IGBT 模块 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FF200R12KF 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048
FF200R12KF2 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HD5.6