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参数资料
| 型号： | FF200R12KL |
| 英文描述： | PHOTO MICROSENSOR |
| 中文描述： | 晶体管| IGBT的|正陈|双| 1.2KV五（巴西）国际消费电子展| 200安培一（c）|米：HL093HW048 |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 365K |
| 代理商： | FF200R12KL |
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FF200R33KF2V | PHOTO MICROSENSOR |
| FF200R10KF2 | Photo Microsensor |
| FF25R06KF | PHOTO MICROSENSOR |
| FF25R06KF2 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 25A I(C) | M:HL080HD5.3 |
| FF25R10K | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 25A I(C) | MODULE-S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FF200R12KS4 | 功能描述:IGBT 模块 1200V 200A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FF200R12KT3 | 功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 295A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FF200R12KT3_E | 功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FF200R12KT4 | 功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 320A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FF200R12MT4 | 功能描述:IGBT 模块 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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