FJN3307RTA
库存数量:可订货
制造商:Fairchild Semiconductor
描述:TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92
RoHS:无铅 / 符合
PDF下载:
价格行情(美元)
价格 单价 总价
相关资料
产品分类 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 描述 TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92
产品变化通告 Fe Wire Change 12/Oct/2007
标准包装 2,000
系列 - 晶体管类型 NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧) 22k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) 47k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 68 @ 5mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) 300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大) -
频率 - 转换 250MHz
功率 - 最大 300mW
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
供应商设备封装 TO-92-3
包装 带盒(TB)
FJN3307RTA 同类产品
型号 C112 10A054 050 10 数量 可订货
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
制造商 Amphenol-Tuchel Electronics 描述 CABLE ASSY MALE SNGL END 4POS 5M
标准包装 25 系列 C112
连接器类型 圆形 04 位置公型至导线引线
长度 16.40'(5.0m)
缆线类型 圆形
颜色 多色
屏蔽 无屏蔽
使用 工业环境
型号 FJN3308RBU 数量 可订货
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
制造商 Fairchild Semiconductor 描述 TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92
产品变化通告 Fe Wire Change 12/Oct/2007
标准包装 1,000
系列 - 晶体管类型 NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧) 47k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) 22k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 56 @ 5mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) 300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大) -
频率 - 转换 250MHz
功率 - 最大 300mW
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-226-3、TO-92-3 标准主体
供应商设备封装 TO-92-3
包装 散装
型号 RP30-1215SF/N 数量 可订货
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
制造商 Recom Power Inc 描述 CONV DC/DC 30W 9-18VIN 15VOUT
标准包装 9 系列 Powerline RP30-F
类型 隔离
输出数 1
电压 - 输入(最小) 9V
电压 - 输入(最大) 18V
Voltage - Output 1 15V
Voltage - Output 2 -
Voltage - Output 3 -
电流 - 输出(最大) 2A
电源(瓦) - 制造商系列 30W
电压 - 隔离 1.6kV(1600V)
特点 具有远程开/关功能
安装类型 通孔
封装/外壳 6-DIP 模块
尺寸/尺寸 2.00" L x 1.00" W x 0.40" H(50.8mm x 25.4mm x 10.2mm)
包装 管件
工作温度 -40°C ~ 85°C
效率 89%
电源(瓦特)- 最大 30W
其它名称 30001971
型号 EKZE100ELL681MH15D 数量 2,363
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
制造商 United Chemi-Con 描述 CAP ALUM 680UF 10V 20% RADIAL
产品目录绘图 KZE Series Bottom_5.0
KZE Series_10 x 12.5
标准包装 2,000
系列 KZE 电容 680µF
额定电压 10V
容差 ±20%
寿命@温度 105°C 时为 3000 小时
工作温度 -40°C ~ 105°C
特点 通用
纹波电流 995mA
ESR(等效串联电阻) -
阻抗 56 毫欧
安装类型 通孔
封装/外壳 径向,Can
尺寸/尺寸 0.315" 直径(8.00mm)
高度 - 座高(最大) 0.591"(15.00mm)
引线间隔 0.138"(3.50mm)
表面贴装占地面积 -
包装 散装
产品目录页面 1991 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 565-1645
型号 FJN3311RTA 数量 可订货
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
制造商 Fairchild Semiconductor 描述 TRANSISTOR NPN 40V 100MA TO-92
产品变化通告 Fe Wire Change 12/Oct/2007
标准包装 2,000
系列 - 晶体管类型 NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 40V
电阻器 - 基极 (R1)(欧) 22k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) -
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 100 @ 1mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) 300mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大) -
频率 - 转换 250MHz
功率 - 最大 300mW
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
供应商设备封装 TO-92-3
包装 带盒(TB)
型号 MUN5236T1G 数量 可订货
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
制造商 ON Semiconductor 描述 TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT323
标准包装 3,000 系列 -
晶体管类型 NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧) 100k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) 100k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 80 @ 5mA,10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) 250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大) 500nA
频率 - 转换 -
功率 - 最大 202mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SC-70,SOT-323
供应商设备封装 SC-70-3(SOT323)
包装 带卷 (TR)
其它名称 MUN5236T1GOS
型号 HW-AFX-BERG-SDRAM 数量 可订货
RoHS PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
制造商 Xilinx Inc 描述 EXPANSION MOD SDRAM BERG-SDRAM
产品变化通告 Development Systems Discontinuation 11/Oct/2010
标准包装 1
系列 - 附件类型 扩展模块
适用于相关产品 ML32x 板
相关产品 HW-V5-ML525-FXT-UNI-G-J-ND - EVAL BD ROCKETIO GTX VIRTEX5 JPN
HW-V5-ML525-FXT-UNI-G-ND - EVAL BOARD ROCKETIO GTX VIRTEX5
HW-V5-ML523-FXT-UNI-G-J-ND - BOARD EVAL FOR VIRTEX-5
HW-V5-ML523-FXT-UNI-G-ND - BOARD EVAL FOR VIRTEX-5
HW-V5-ML523-UNI-G-ND - EVALUATION PLATFORM VIRTEX-5
HW-V5-ML521-UNI-G-ND - EVALUATION PLATFORM VIRTEX-5
HW-V4-ML423-UNI-G-ND - EVALUATION PLATFORM VIRTEX-4
HW-V5-ML525-UNI-G-ND - EVAL PLATFORM ROCKET IO VIRTEX-5
型号 MMUN2241LT1G 数量 可订货
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
制造商 ON Semiconductor 描述 TRANS PREBIASED NPN 50V SOT23
产品变化通告 Product Discontinuation 02/Jan/2007
标准包装 3,000
系列 - 晶体管类型 NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧) 100k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) -
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 160 @ 5mA,10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) 250mV @ 5mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大) 500nA
频率 - 转换 -
功率 - 最大 246mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装 SOT-23-3(TO-236)
包装 带卷 (TR)
其它名称 MMUN2241LT1GOS
型号 DTC144TT1G 数量 可订货
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
制造商 ON Semiconductor 描述 TRANS NPN BIAS RES 50V SC-59
产品变化通告 Product Discontinuation 02/Jan/2007
标准包装 3,000
系列 - 晶体管类型 NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧) 47k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) -
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 160 @ 5mA,10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) 250mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大) 500nA
频率 - 转换 -
功率 - 最大 230mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装 SC-59
包装 带卷 (TR)
其它名称 DTC144TT1GOS
型号 EBM22DTAN 数量 可订货
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
制造商 Sullins Connector Solutions 描述 CONN EDGECARD 44POS R/A .156 SLD
标准包装 1 系列 -
卡类型 非指定 - 双边
类型 母头
Number of Positions/Bay/Row 22
位置数 44
卡厚度 0.062"(1.57mm)
行数 2
间距 0.156"(3.96mm)
特点 -
安装类型 通孔,直角
端子 焊接
触点材料 磷青铜
触点表面涂层
触点涂层厚度 10µin(0.25µm)
触点类型: 环形波纹管
颜色
包装 托盘
法兰特点 -
材料 - 绝缘体 聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)
工作温度 -65°C ~ 125°C
读数