产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 | 描述 | TRANSISTOR NPN 40V 100MA TO-92 |
产品变化通告 | Fe Wire Change 12/Oct/2007 |
标准包装 | 2,000 |
系列 | - | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 40V |
电阻器 - 基极 (R1)(欧) | 22k |
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) | - |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 1mA,5V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 300mV @ 1mA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
频率 - 转换 | 250MHz |
功率 - 最大 | 300mW |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
供应商设备封装 | TO-92-3 |
包装 | 带盒(TB) |
FJN3311RTA 同类产品
型号 | MUN5236T1G | 数量 | 可订货 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | ON Semiconductor | 描述 | TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT323 |
标准包装 | 3,000 | 系列 | - |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1)(欧) | 100k |
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) | 100k |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 80 @ 5mA,10V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 250mV @ 300µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大) | 500nA |
频率 - 转换 | - |
功率 - 最大 | 202mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
供应商设备封装 | SC-70-3(SOT323) |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | MUN5236T1GOS |
型号 | HW-AFX-BERG-SDRAM | 数量 | 可订货 |
RoHS | 否 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | Xilinx Inc | 描述 | EXPANSION MOD SDRAM BERG-SDRAM |
产品变化通告 | Development Systems Discontinuation 11/Oct/2010 |
标准包装 | 1 |
系列 | - | 附件类型 | 扩展模块 |
适用于相关产品 | ML32x 板 |
相关产品 | HW-V5-ML525-FXT-UNI-G-J-ND - EVAL BD ROCKETIO GTX VIRTEX5 JPN HW-V5-ML525-FXT-UNI-G-ND - EVAL BOARD ROCKETIO GTX VIRTEX5 HW-V5-ML523-FXT-UNI-G-J-ND - BOARD EVAL FOR VIRTEX-5 HW-V5-ML523-FXT-UNI-G-ND - BOARD EVAL FOR VIRTEX-5 HW-V5-ML523-UNI-G-ND - EVALUATION PLATFORM VIRTEX-5 HW-V5-ML521-UNI-G-ND - EVALUATION PLATFORM VIRTEX-5 HW-V4-ML423-UNI-G-ND - EVALUATION PLATFORM VIRTEX-4 HW-V5-ML525-UNI-G-ND - EVAL PLATFORM ROCKET IO VIRTEX-5 |
型号 | MMUN2241LT1G | 数量 | 可订货 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | ON Semiconductor | 描述 | TRANS PREBIASED NPN 50V SOT23 |
产品变化通告 | Product Discontinuation 02/Jan/2007 |
标准包装 | 3,000 |
系列 | - | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1)(欧) | 100k |
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) | - |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 160 @ 5mA,10V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 250mV @ 5mA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大) | 500nA |
频率 - 转换 | - |
功率 - 最大 | 246mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | SOT-23-3(TO-236) |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | MMUN2241LT1GOS |
型号 | DTC144TT1G | 数量 | 可订货 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | ON Semiconductor | 描述 | TRANS NPN BIAS RES 50V SC-59 |
产品变化通告 | Product Discontinuation 02/Jan/2007 |
标准包装 | 3,000 |
系列 | - | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1)(欧) | 47k |
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) | - |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 160 @ 5mA,10V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 250mV @ 1mA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大) | 500nA |
频率 - 转换 | - |
功率 - 最大 | 230mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | SC-59 |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | DTC144TT1GOS |
型号 | EBM22DTAN | 数量 | 可订货 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | Sullins Connector Solutions | 描述 | CONN EDGECARD 44POS R/A .156 SLD |
标准包装 | 1 | 系列 | - |
卡类型 | 非指定 - 双边 |
类型 | 母头 |
Number of Positions/Bay/Row | 22 |
位置数 | 44 |
卡厚度 | 0.062"(1.57mm) |
行数 | 2 |
间距 | 0.156"(3.96mm) |
特点 | - |
安装类型 | 通孔,直角 |
端子 | 焊接 |
触点材料 | 磷青铜 |
触点表面涂层 | 金 |
触点涂层厚度 | 10µin(0.25µm) |
触点类型: | 环形波纹管 |
颜色 | 蓝 |
包装 | 托盘 |
法兰特点 | - |
材料 - 绝缘体 | 聚对苯二甲酸丁二酯(PBT) |
工作温度 | -65°C ~ 125°C |
读数 | 双 |
型号 | DTA144WET1G | 数量 | 可订货 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | ON Semiconductor | 描述 | TRANS PNP BIAS RES 50V SC75-3 |
产品变化通告 | Product Obsolescence 06/Oct/2006 |
标准包装 | 3,000 |
系列 | - | 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1)(欧) | 47k |
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) | 22k |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 80 @ 5mA,10V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 250mV @ 300µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大) | 500nA |
频率 - 转换 | - |
功率 - 最大 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
供应商设备封装 | SC-75,SOT-416 |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | DTA144WET1GOS |
型号 | PBSS5320T,215 | 数量 | 9,000 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | NXP Semiconductors | 描述 | TRANS PNP 20V 2A SOT23 |
产品培训模块 | BISS Transistors |
产品目录绘图 | SOT-23 Package Top |
特色产品 | NXP - I2C Interface |
标准包装 | 3,000 |
系列 | - | 晶体管类型 | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 2A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 20V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 300mV @ 300mA,3A |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 200 @ 1A,2V |
功率 - 最大 | 540mW |
频率 - 转换 | 100MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | TO-236AB |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | 568-4166-2 934056855215 PBSS5320T T/R PBSS5320T T/R-ND |
型号 | DTA114YET1 | 数量 | 可订货 |
RoHS | 否 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | ON Semiconductor | 描述 | TRANS PNP BIAS RES 50V SC75-3 |
产品变化通告 | Discontinuation 30/Jun/2006 |
标准包装 | 3,000 |
系列 | - | 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1)(欧) | 10k |
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) | 47k |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 80 @ 5mA,10V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 250mV @ 300µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大) | 500nA |
频率 - 转换 | - |
功率 - 最大 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
供应商设备封装 | SC-75,SOT-416 |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | DTA114YET1OS |
型号 | MAX6440UTFGYD7+T | 数量 | 可订货 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | Maxim Integrated Products | 描述 | IC BATTERY MON SNGL SOT23-6 |
产品培训模块 | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
标准包装 | 2,500 |
系列 | - | 功能 | 电池监控器 |
电池化学 | 碱性,锂离子,镍镉,镍金属氢化物 |
电源电压 | 1 V ~ 5.5 V |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-23-6 |
供应商设备封装 | SOT-6 |
包装 | 带卷 (TR) |
型号 | DTA115EET1 | 数量 | 可订货 |
RoHS | 否 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
制造商 | ON Semiconductor | 描述 | TRANS PNP BIAS RES 50V SC75-3 |
产品变化通告 | Discontinuation 30/Jun/2006 |
标准包装 | 3,000 |
系列 | - | 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1)(欧) | 100k |
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) | 100k |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 80 @ 5mA,10V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 250mV @ 300µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大) | 500nA |
频率 - 转换 | - |
功率 - 最大 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
供应商设备封装 | SC-75,SOT-416 |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | DTA115EET1OS |