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参数资料
| 型号： | FQD7N20L |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 200V Logic N-Channel MOSFET(漏源电压为200V、漏电流为5.5A的逻辑N沟道增强型MOS场效应管) |
| 中文描述： | 5.5 A, 200 V, 0.78 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 630K |
| 代理商： | FQD7N20L |
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, May 2000
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| FQD7P20 | 200V P-Channel MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQD7N20L_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET |
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| FQD7N20TF | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD7N20TM | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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