型号: | FQI3N60 |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 600V N-Channel MOSFET |
中文描述: | 3 A, 600 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262 |
封装: | I2PAK-3 |
文件页数: | 3/9页 |
文件大小: | 581K |
代理商: | FQI3N60 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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FQB3N80 | 800V N-Channel MOSFET |
FQI3N80 | 800V N-Channel MOSFET |
FQB3N90 | 900V N-Channel MOSFET(漏源电压为900V的N沟道增强型MOSFET) |
FQI3N90 | 900V N-Channel MOSFET(漏源电压为900V的N沟道增强型MOSFET) |
FQB3P20 | 200V P-Channel MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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FQI3N80 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:800V N-Channel MOSFET |
FQI3N80TU | 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FQI3N90 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:900V N-Channel MOSFET |
FQI3N90TU | 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FQI3P20 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V P-Channel MOSFET |