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参数资料
| 型号： | FZT605TA |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 中文描述： | 1.5 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | SOT-223, 4 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 116K |
| 代理商： | FZT605TA |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FZT689BTA | |
| FZT696BTA | |
| FZT705TA | |
| FZTA14TA | |
| G13D67.3 | 1 ELEMENT, 67.3 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FZT605TA-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:FZT605 Series 120 V 1.5 A NPN SMT Silicon Medium Power Transistor - SOT-223 |
| FZT605TC | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| FZT649 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| FZT649 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-223 |
| FZT649_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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