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参数资料
| 型号： | FZT696BTA |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 中文描述： | 0.5 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | FZT696BTA |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FZT705TA | |
| FZTA14TA | |
| G13D67.3 | 1 ELEMENT, 67.3 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| G13J160 | 1 ELEMENT, 160 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| G13B33.0 | 1 ELEMENT, 33 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FZT696BTA-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:FZT696B Series NPN 0.5 A 180 V SMT Silicon High Gain Transistor - SOT-223 |
| FZT696BTC | 功能描述:达林顿晶体管 NPN High Gain & Crnt RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| FZT704 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| FZT704TA | 功能描述:达林顿晶体管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| FZT704TC | 功能描述:达林顿晶体管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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