GA54JVN

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GA54JVN 技术参数

GA50SICP12-227 功能描述:SIC CO-PACK SJT/RECT 50A 1.2KV 制造商:genesic semiconductor 系列:- 零件状态:有效类型:- 配置:- 电流:50A 电压:1200V 电压 - 隔离:- 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 标准包装:10 GA50K6A1A 功能描述:NTC Thermistor 50k Bead 制造商:te connectivity measurement specialties 系列:I 包装:散装零件状态:有效 25°C 时欧姆阻值:50k 电阻容差:±0.1°C B 值容差:±0.5% B0/50:- B25/50:- B25/75:- B25/85:4261K B25/100:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 功率 - 最大值:- 长度 - 引线:- 安装类型:自由悬挂封装/外壳:磁珠标准包装:1 GA50JT17-247 功能描述:TRANS SJT 1.7KV 100A 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:结式晶体管，常闭 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1700V（1.7kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 50A 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:583W 工作温度:175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 GA50JT12-247 功能描述:TRANS SJT 1.2KV 50A 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:结式晶体管，常闭 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 50A 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7209pF @ 800V 功率 - 最大值:583W 工作温度:175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247AB 标准包装:30 GA50JT06-258 功能描述:TRANS SJT 600V 100A 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:结式晶体管，常闭 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 50A 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:769W 工作温度:-55°C ~ 225°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-258-3，TO-258AA 供应商器件封装:TO-258 标准包装:10 GAA10006 GAA10007 GAA10008 GAA10009 GAA1238-115BB GAA1238-230BB GAA14001 GAA14002 GAA14003 GAA14004 GAA14005 GAA14005NC GAA14006 GAA14007 GAA14008 GAA14009 GAA16001 GAA16008