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GATELEAD2386XPSA1

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GATELEAD2386XPSA1
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
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GATELEAD2386XPSA1 技术参数

GASSENSOREVM 功能描述:EVAL BOARD BLE SENSOR PLATFORM 制造商:texas instruments 系列:- 零件状态:在售类型:收发器; 智能低功耗（BLE）蓝牙? 4.x 频率:2.4GHz 配套使用产品/相关产品:CC2541 所含物品:板标准包装:1 GAP3SLT33-220FP 功能描述:DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:3300V（3.3kV）电流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.7V @ 300mA 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间（trr）:0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 3300V 不同?Vr，F 时的电容:42pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 整包供应商器件封装:TO-220FP 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:500 GAP3SLT33-214 功能描述:DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:3300V（3.3kV）电流 - 平均整流（Io）:300mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:2.2V @ 300mA 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间（trr）:0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 3300V 不同?Vr，F 时的电容:42pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:DO-214AA 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:1 GAP05SLT80-220 功能描述:DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:8000V（8kV）电流 - 平均整流（Io）:50mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:4.6V @ 50mA 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间（trr）:0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3.8μA @ 8000V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:轴向供应商器件封装:- 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:10 GAN FET BOOK-WIPO 功能描述:TEXT WIRELESS POWER HANDBOOK 制造商:epc 系列:- 零件状态:过期配件类型:导轨配套使用产品/相关产品:- 标准包装:1 GATELEADL500PB34602XPSA1 GATELEADL500PB34701XPSA1 GATELEADL75005MPXPSA1 GATELEADL75008HPXPSA1 GB CS8PM1.13-GZHX-35-0-350-R18 GB CS8PM1.13-HXHY-35 GB CS8PM1.13-HYHZ-35 GB CSHPM1.13-GZHX-35-0-350-R18 GB CSHPM1.13-HXHY-35 GB CSHPM1.13-HXHZ-35-0-350-R18 GB CSHPM1.13-HYHZ-35 GB DASPA1.13-DRDT-23 GB DASPA1.13-DRDT-23-LN-100-R18-LM GB DASPA1.13-DTEP-24-1 GB DASPA1.13-DTEP-24-1-100-R18 GB DASPA1.13-DTEP-24-KN-100-R18-XX GB DASPA1.13-DU-3-M-100-R18-XX GB DASPA1.13-DUEP-3-1-100-R18-XX