GBK321611T-151Y-N

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GBK321611T-151Y-N
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
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制造商
未知厂家
制造商全称
未知厂家
功能描述
SMD Chip Beads

GBK321611T-151Y-N 技术参数

GBJ801-F 功能描述:RECT BRIDGE GPP 100V 8A GBJ 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:单相电压 - 峰值反向（最大值）:100V 电流 - DC 正向（If）:8A 安装类型:通孔封装/外壳:4-SIP，GBJ 供应商器件封装:GBJ 标准包装:15 GBJ801 功能描述:RECT BRIDGE GPP 100V 8A GBJ 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:单相电压 - 峰值反向（最大值）:100V 电流 - DC 正向（If）:8A 安装类型:通孔封装/外壳:4-SIP，GBJ 供应商器件封装:GBJ 标准包装:600 GBJ610TB 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBJ 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:单相技术:标准电压 - 峰值反向（最大值）:1kV 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 6A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:4-ESIP 供应商器件封装:GBJ 标准包装:15 GBJ606TB 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A GBJ 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:单相技术:标准电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 6A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:4-ESIP 供应商器件封装:GBJ 标准包装:15 GBJ3510TB 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 35A GBJ 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:单相技术:标准电压 - 峰值反向（最大值）:1kV 电流 - 平均整流（Io）:35A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:4-ESIP 供应商器件封装:GBJ 标准包装:15 GBL01-E3/51 GBL01HD2G GBL01-M3/45 GBL01-M3/51 GBL02 GBL02 D2G GBL02-E3/45 GBL02-E3/51 GBL02HD2G GBL02-M3/45 GBL02-M3/51 GBL04 GBL04 D2G GBL04-E3/45 GBL04-E3/51 GBL04HD2G GBL04-M3/51 GBL06