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GBU801 D2G

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GBU801 D2G 技术参数
  • GBU6J 功能描述:DIODE BRIDGE 600V 6A GBU 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:单相 电压 - 峰值反向(最大值):600V 电流 - DC 正向(If):6A 安装类型:通孔 封装/外壳:4-SIP,GBU 供应商器件封装:GBU 标准包装:500 GBU6B 功能描述:DIODE BRIDGE 100V 6A GBU 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:单相 电压 - 峰值反向(最大值):100V 电流 - DC 正向(If):6A 安装类型:通孔 封装/外壳:4-SIP,GBU 供应商器件封装:GBU 标准包装:500 GBU610TB 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 二极管类型:单相 技术:标准 电压 - 峰值反向(最大值):1kV 电流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.1V @ 6A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:4-ESIP 供应商器件封装:GBU 标准包装:20 GBU610GTB 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 二极管类型:单相 技术:标准 电压 - 峰值反向(最大值):1kV 电流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.1V @ 6A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:4-ESIP 供应商器件封装:GBU 标准包装:20 GBU606TB 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A GBU 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 二极管类型:单相 技术:标准 电压 - 峰值反向(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.1V @ 6A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:4-ESIP 供应商器件封装:GBU 标准包装:20 GBU802TB GBU803 D2G GBU803HD2G GBU804 GBU804 D2G GBU804-G GBU804GTB GBU804HD2G GBU804TB GBU805 D2G GBU805HD2G GBU806 GBU806 D2G GBU806-G GBU806GTB GBU806HD2G GBU806TB GBU807 D2G
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