GL102E9J

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GL102E9J
深圳市轩盛达电子有限公司
深圳市轩盛达电子有限公司
联系人：陈
电话：1588932848313924772445
地址：深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103
10000
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原厂原装现货，代找紧缺料

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GL102E9J 技术参数

GL100MN1MP1 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:- 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:20° 朝向:顶视图工作温度:-30°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，无引线标准包装:1 GL100MN1MP 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:- 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:20° 朝向:通用工作温度:-30°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装，直角封装/外壳:2-SMD，无引线标准包装:1 GL100MN0MP1 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:- 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:20° 朝向:顶视图工作温度:-30°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，无引线标准包装:1 GL100MN0MP 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:- 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:20° 朝向:通用工作温度:-30°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装，直角封装/外壳:2-SMD，无引线标准包装:1 GL05-HT3-GS08 功能描述:TVS DIODE 5VWM 11VC LLP753B 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:5V 电压 - 击穿（最小值）:6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:11V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:17A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:300W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:5pF @ 1MHz 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-WDFN 供应商器件封装:LLP75-3B 标准包装:1 GL102F35CET GL102F35IDT GL102F35IET GL103J5J GL103J9J GL104R5J GL104R9J GL110KA7B115 GL111F23CDT GL111F23CET GL111F23IDT GL111F23IET GL111F33CDT GL111F33CET GL111F33IDT GL111F33IET GL111F35CDT GL111F35CET