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GL128PL11FFIV2/CY14V101LA-BA

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GL128PL11FFIV2/CY14V101LA-BA 技术参数
  • GL110KA7B115 功能描述:11μH Unshielded Wirewound Inductor 115mA 7 Ohm Nonstandard 制造商:avx corporation 系列:GL 包装:散装 零件状态:过期 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁粉 电感:11μH 容差:±10% 额定电流:115mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):7 欧姆 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:- 安装类型:通孔 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.182"?长 x 0.072" 方椎体(4.62mm x 1.83mm) 高度 - 安装(最大值):- 标准包装:1 GL100MN1MP1 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):50mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):- 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD,无引线 标准包装:1 GL100MN1MP 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):50mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):- 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:20° 朝向:通用 工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装,直角 封装/外壳:2-SMD,无引线 标准包装:1 GL100MN0MP1 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):50mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):- 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD,无引线 标准包装:1 GL100MN0MP 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):50mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):- 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:20° 朝向:通用 工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装,直角 封装/外壳:2-SMD,无引线 标准包装:1 GL130F23CDT GL130F23CET GL130F23IDT GL130F23IET GL130F33CDT GL130F33CET GL130F33IDT GL130F33IET GL130F35CDT GL130F35CET GL130F35IDT GL130F35IET GL135F23CDT GL135F23CET GL135F23IDT GL135F23IET GL135F33CDT GL135F33CET
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