GL160808V82NJT

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GL160808V82NJT 技术参数

GL15-HT3-GS08 功能描述:TVS DIODE 15VWM 33VC LLP753B 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:33V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:10A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:300W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:5pF @ 1MHz 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-WDFN 供应商器件封装:LLP75-3B 标准包装:1 GL110KA7B115 功能描述:11μH Unshielded Wirewound Inductor 115mA 7 Ohm Nonstandard 制造商:avx corporation 系列:GL 包装:散装零件状态:过期类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:11μH 容差:±10% 额定电流:115mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:7 欧姆不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:- 安装类型:通孔封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.182"?长 x 0.072" 方椎体（4.62mm x 1.83mm）高度 - 安装（最大值）:- 标准包装:1 GL100MN1MP1 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:- 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:20° 朝向:顶视图工作温度:-30°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，无引线标准包装:1 GL100MN1MP 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:- 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:20° 朝向:通用工作温度:-30°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装，直角封装/外壳:2-SMD，无引线标准包装:1 GL100MN0MP1 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:- 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:20° 朝向:顶视图工作温度:-30°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，无引线标准包装:1 GL160F35CET GL160F35IDT GL160F35IET GL163F23CDT GL163F23CET GL163F23IDT GL163F23IET GL163F33CDT GL163F33CET GL163F33IDT GL163F33IET GL163F35CDT GL163F35CET GL163F35IDT GL163F35IET GL169F23CDT GL169F23CET GL169F23IDT