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GP2S24ABJ00F
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
4000
NULL
标准封装
09/10+
-
全新原装100%正品保证质量

GP2S24ABJ00F
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
Sharp Microelectronics
标准封装
16+
-
假一罚十百分百原装正品

GP2S24ABJ00F
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
4000
原厂品牌
标准封装
09/10+
-
全新原装100%正品保证质量

GP2S24ABJ00F
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3220
SHARP
PCB 安装
14+
-
原装正品，现货库存！

GP2S24AB
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
自动化系列
原厂封装
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

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GP2S24AB 技术参数

GP2S24 功能描述:PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM DIP 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包装:散装零件状态:过期感应距离:0.031"（0.8mm）感应方法:反射电压 - 集射极击穿（最大值）:35V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20mA 电流 - DC 正向（If）:50mA 输出类型:光电晶体管响应时间:20μs，20μs 安装类型:通孔封装/外壳:PCB 安装工作温度:-25°C ~ 85°C 标准包装:50 GP2M020A060N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN 制造商:global power technologies group 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:330 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:70nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3184pF @ 25V 功率 - 最大值:347W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3PN 标准包装:1 GP2M020A050H 功能描述:MOSFET N-CH 500V 18A TO220 制造商:global power technologies group 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:300 毫欧 @ 9A， 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:44nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2880pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1 GP2M013A050F 功能描述:MOSFET N-CH 500V 13A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:480 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1798pF @ 25V 功率 - 最大值:52W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220F 标准包装:1 GP2M012A080NG 功能描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN 制造商:global power technologies group 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:650 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:79nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3370pF @ 25V 功率 - 最大值:416W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3PN 标准包装:1 GP2S27TJ000F GP2S28 GP2S40 GP2S40J0000F GP2S40JJ000F GP2S60 GP2S60A GP2S60B GP2S700HCP GP2W0004XP GP2W0004XP0F GP2W0004YP GP2W0004YP0F GP2W0110YPS GP2W0110YPSF GP2W0112YP GP2W0112YP0F GP2W0114YP0F

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