GSP1.3201.1

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GSP1.3201.1 技术参数

GSOT36C-HT3-GS08 功能描述:TVS DIODE 36VWM 71VC LLP753B 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:齐纳单向通道:2 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:36V（最小）电压 - 击穿（最小值）:39V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:71V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:3.5A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:248W 电源线路保护:无应用:汽车级不同频率时的电容:52pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-WDFN 供应商器件封装:LLP75-3B 标准包装:1 GSOT15-HT3-GS08 功能描述:TVS DIODE 15VWM 28.8VC LLP753B 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:15V（最小）电压 - 击穿（最小值）:16.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:28.8V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:8A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:230W 电源线路保护:无应用:汽车级不同频率时的电容:90pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-WDFN 供应商器件封装:LLP75-3B 标准包装:1 GSOT12-HT3-GS08 功能描述:TVS DIODE 12VWM 26VC LLP753B 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:12V（最小）电压 - 击穿（最小值）:13.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:26V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:12A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:312W 电源线路保护:无应用:汽车级不同频率时的电容:115pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-WDFN 供应商器件封装:LLP75-3B 标准包装:1 GSOT12C-HT3-GS08 功能描述:TVS DIODE 12VWM 26VC LLP753B 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:齐纳单向通道:2 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:12V（最小）电压 - 击穿（最小值）:13.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:26V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:12A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:312W 电源线路保护:无应用:汽车级不同频率时的电容:115pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-WDFN 供应商器件封装:LLP75-3B 标准包装:1 GSOT05-HT3-GS08 功能描述:TVS DIODE 5VWM 16VC LLP753B 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:5V（最小）电压 - 击穿（最小值）:6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:16V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:30A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:480W 电源线路保护:无应用:汽车级不同频率时的电容:260pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-WDFN 供应商器件封装:LLP75-3B 标准包装:1 GSP1.810C.1 GSP1.8111.1 GSP1.8113.1 GSP1.8201.1 GSP1.8203.1 GSP1.8211.1 GSP1.8401.1 GSP1.8501.1 GSP1.8601.1 GSP1.8613.1 GSP1.8701.1 GSP1.8703.1 GSP1.870C.1 GSP1.870E.1 GSP1.9100.1 GSP1.9101.1 GSP1.9103.1 GSP1.9110.1