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HER607G

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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
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    联系人:

    电话:18724450645

    地址:中国上海

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

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  • 深圳市企诺德电子有限公司
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  • 功能描述
  • 整流器 6.0 Amp 800 Volt 150 Amp IFSM
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 产品
  • Standard Recovery Rectifiers
  • 配置
  • 反向电压
  • 100 V
  • 正向电压下降
  • 恢复时间
  • 1.2 us
  • 正向连续电流
  • 2 A
  • 最大浪涌电流
  • 35 A
  • 反向电流 IR
  • 5 uA
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • DO-221AC
  • 封装
  • Reel
HER607G 技术参数
  • HER303-T 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD,轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1,200 HER102-T 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5,000 HEP-600C-48 功能描述:O/P +57.6V10.5A 制造商:mean well usa inc. 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 HEP-600C-24 功能描述:O/P +28.8V21A 制造商:mean well usa inc. 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 HEP-600C-12 功能描述:O/P +14.4V35A 制造商:mean well usa inc. 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 HERAF1002G C0G HERAF1003G C0G HERAF1004G C0G HERAF1005G C0G HERAF1006G C0G HERAF1007G C0G HERAF1008G C0G HERAF1601G C0G HERAF1602G C0G HERAF1603G C0G HERAF1604G C0G HERAF1605G C0G HERAF1606G C0G HERAF801G C0G HERAF802G C0G HERAF803G C0G HERAF804G C0G HERAF805G C0G
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