HERF806G

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HERF806G 技术参数

HER303-T 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1,200 HER102-T 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5,000 HEP-600C-48 功能描述:O/P +57.6V10.5A 制造商:mean well usa inc. 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 HEP-600C-24 功能描述:O/P +28.8V21A 制造商:mean well usa inc. 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 HEP-600C-12 功能描述:O/P +14.4V35A 制造商:mean well usa inc. 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 HES.1M.305.XLDP HES.1M.307.XLDP HES.1M.308.CLDP HES.1M.308.XLDP HES.2F.308.XLDP HES.2F.310.XLDP HES.2F.319.XLDP HES.2F.319.XLDPS HES.2M.310.XLDP HES.2M.319.XLDP HES.3F.322.XLDP HES.3F.330.XLDP HES.3M.330.XLDP HES050ZG-A HES050ZG-ANT HES050ZG-AT8 HES054YB-AT HES054ZB-A