HIR-3850XP

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HIR-3850XP 技术参数

HIR38-01C 功能描述:Infrared (IR) Emitter 850nm 1.45V 100mA 7.8mW/sr @ 20mA 30° 4-DIP (0.200", 5.08mm) 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包装:管件零件状态:有效类型:红外线电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:7.8mW/sr @ 20mA 波长:850nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.45V 视角:30° 朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:4-DIP（0.200"，5.08mm）标准包装:60 HIR36-01C/S32 功能描述:Infrared (IR) Emitter 850nm 1.45V 100mA 15mW/sr @ 20mA 20° 4-DIP (0.200", 5.08mm) 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包装:管件零件状态:有效类型:红外线电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:15mW/sr @ 20mA 波长:850nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.45V 视角:20° 朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:4-DIP（0.200"，5.08mm）标准包装:80 HIR333C/H0 功能描述:Infrared (IR) Emitter 850nm 1.45V 100mA 7.8mW/sr @ 20mA 30° Radial 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外线电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:7.8mW/sr @ 20mA 波长:850nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.45V 视角:30° 朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:径向标准包装:500 HIR333/H0 功能描述:Infrared (IR) Emitter 850nm 1.45V 100mA 7.8mW/sr @ 20mA 30° Radial 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外线电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:7.8mW/sr @ 20mA 波长:850nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.45V 视角:30° 朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:径向标准包装:500 HIR323C/H0 功能描述:Infrared (IR) Emitter 850nm 1.45V 100mA 7.8mW/sr @ 20mA 30° Radial 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外线电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:7.8mW/sr @ 20mA 波长:850nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.45V 视角:30° 朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:径向标准包装:500 HIT-KITS-TSD0E HIT-R151BP-AMW1E HIT-R151BR-AMW1E HIT-R151FP-APW1E HIT-R151FR-APW1E HIT-R181BP-AMW1E HIT-R181BR-AMW1E HIT-W101CP-ATW1E HIT-W121-AIS0E HIT-W121-AIS1E HIT-W121-AWM1E HIT-W121BP-AMW1E HIT-W121BP-APW1E HIT-W121-HSKE HIT-W151-AIS1E HIT-W181-HSK0E HIT-W181-MSR0E HIT-W182-AST1E