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HM65-H7R2TR13

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HM65-H7R2TR13 PDF下载
  • 制造商
  • BI_TECH
  • 功能描述
HM65-H7R2TR13 技术参数
  • HM65-H4R0LFTR13 功能描述:4μH Unshielded Wirewound Inductor 8A 8 mOhm Max Nonstandard 制造商:tt electronics/bi magnetics 系列:HM65 包装:剪切带（CT） 零件状态:停产 类型:绕线 材料 - 磁芯:- 电感:4μH 容差:±20% 额定电流:8A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:8 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 130°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.531" 长 x 0.492" 宽（13.50mm x 12.50mm） 高度 - 安装（最大值）:0.220"（5.60mm） 标准包装:1 HM65-H1R8LFTR13 功能描述:1.8μH Unshielded Wirewound Inductor 11.5A 3.4 mOhm Max Nonstandard 制造商:tt electronics/bi magnetics 系列:HM65 包装:剪切带（CT） 零件状态:停产 类型:绕线 材料 - 磁芯:- 电感:1.8μH 容差:±20% 额定电流:11.5A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:3.4 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 130°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.531" 长 x 0.492" 宽（13.50mm x 12.50mm） 高度 - 安装（最大值）:0.220"（5.60mm） 标准包装:1 HM65-8R2LFTR13 功能描述:8.2μH Unshielded Wirewound Inductor 4.5A 11.4 mOhm Max Nonstandard 制造商:tt electronics/bi magnetics 系列:HM65 包装:剪切带（CT） 零件状态:停产 类型:绕线 材料 - 磁芯:- 电感:8.2μH 容差:±20% 额定电流:4.5A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:11.4 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 130°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.531" 长 x 0.492" 宽（13.50mm x 12.50mm） 高度 - 安装（最大值）:0.220"（5.60mm） 标准包装:1 HM6098FNL 功能描述:MDL SIN 1GPP 1:1 SMT 制造商:pulse electronics corporation 系列:* 零件状态:有效 标准包装:25 HM5149NL 功能描述:MDL SIN 1GD 1:1 SMT 制造商:pulse electronics corporation 系列:* 零件状态:有效 标准包装:25 HM66-101R5LFTR7 HM66-10220LFTR7 HM66-102R2LFTR7 HM66-10330LFTR7 HM66-103R3LFTR7 HM66-104R7LFTR7 HM66-105R6LFTR7 HM66-106R8LFTR7 HM66-15100LFTR7 HM66-15150LFTR7 HM66-151R5LFTR7 HM66-15220LFTR7 HM66-152R2LFTR7 HM66-15330LFTR7 HM66-153R3LFTR7 HM66-154R7LFTR7 HM66-156R8LFTR7 HM66-20100LFTR13
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