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HTNFET-TC

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    HTNFET-TC

    HTNFET-TC

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Honeywell Microelectronic

  • -

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

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HTNFET-TC 技术参数
  • HTNFET-T 功能描述:MOSFET N-CH 55V 4-PIN 制造商:honeywell microelectronics & precision sensors 系列:HTMOS?? 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):400 毫欧 @ 100mA,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.3nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):290pF @ 28V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 225°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:4-SIP 供应商器件封装:4-电源接片 标准包装:1 HTNFET-D 功能描述:MOSFET N-CH 55V 8-DIP 制造商:honeywell microelectronics & precision sensors 系列:HTMOS?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):400 毫欧 @ 100mA,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.3nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):290pF @ 28V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 225°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:8-CDIP 裸露焊盘 供应商器件封装:8-CDIP-EP 标准包装:1 HTN1.00TB65 功能描述:HALAR SLEEVING 1" BLACK 65' 制造商:techflex 系列:Flexo? Halar? 零件状态:有效 类型:可扩展套管 直径:1.000"(25.40mm) 直径 - 最大值:1.625"(41.30mm) 长度:65'(19.81m) 材料:乙烯-三氟氯乙烯共聚物 特性:Plenum 等级,自熄灭 颜色:黑,白 标准包装:1 HTN0.75TB75 功能描述:HALAR SLEEVING 3/4" BLACK 75' 制造商:techflex 系列:Flexo? Halar? 零件状态:有效 类型:可扩展套管 直径:0.750"(19.05mm) 直径 - 最大值:1.250"(31.75mm) 长度:75'(22.86m) 材料:乙烯-三氟氯乙烯共聚物 特性:Plenum 等级,自熄灭 颜色:黑,白 标准包装:1 HTN0.75TB 功能描述:HALAR SLEEVING 3/4" BLACK 250' 制造商:techflex 系列:Flexo? Halar? 零件状态:有效 类型:可扩展套管 直径:0.750"(19.05mm) 直径 - 最大值:1.250"(31.75mm) 长度:250'(76.20m) 材料:乙烯-三氟氯乙烯共聚物 特性:Plenum 等级,自熄灭 颜色:黑,白 标准包装:1 HTPLREG15TC HTPOWERBAR10 HTPT66-103K HTPT66-104K HTPT66-122K HTPT66-152K HTPT66-153K HTPT66-223K HTPT66-391K HTPT66-393K HTPT66-472K HTPT66-683K HTPT66R-103K HTPT66R-104K HTPT66R-122K HTPT66R-152K HTPT66R-153K HTPT66R-223K
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