HIP2101IB

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功能描述
功率驱动器IC 100V H-BRDG DRVR
RoHS
否
制造商
Micrel
产品
MOSFET Gate Drivers
类型
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
上升时间
下降时间
电源电压-最大
30 V
电源电压-最小
2.75 V
电源电流
最大功率耗散
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Tube

HIP2101IB 技术参数

HIP2101EIBZT 功能描述:功率驱动器IC 100V H-BRDG DRVR 8LD EP RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube HIP2101EIBZ 功能描述:功率驱动器IC 100V H-BRDG DRVR 8LD EP RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube HIP2101EIBT 功能描述:IC DRVR HALF BRDG 100V 8EP-SOIC RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 HIP2101EIB 功能描述:功率驱动器IC 100V H-BRDG DRVR 8LD EP RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube HIP2100IRZT 功能描述:功率驱动器IC 100V/2A H-BRDG DRVR 16LD MLFP 5X5 RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube HIP2101IRT HIP2101IRZ HIP2101IRZT HIP2103_4MBEVAL1Z HIP2103-4DEMO1Z HIP2103-4DEMO2Z HIP2103DBEVAL1Z HIP2103FRTAAZ HIP2103FRTAAZ-T HIP2103FRTAAZ-T7A HIP2104DBEVAL1Z HIP2104FRAANZ HIP2104FRAANZ-T HIP2104FRAANZ-T7A HIP2120FRTAZ HIP2120FRTAZ-T HIP2120FRTBZ HIP2120FRTBZ-T