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参数资料
| 型号： | HY29F800ATG-90 |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8 Megabit (1Mx8/512Kx16), 5 Volt-only, Flash Memory |
| 中文描述： | 512K X 16 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO44 |
| 封装： | PLASTIC, SOP-44 |
| 文件页数： | 28/40页 |
| 文件大小： | 279K |
| 代理商： | HY29F800ATG-90 |
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28
Rev. 1.1/Feb 02
HY29F800A
AC CHARACTERISTICS
Notes:
1. PA = Program Address, PD = Program Data, D
is the true data at the program address.
2. Commands shown are for Word mode operation.
3. V
CC
shown only to illustrate t
VCS
measurement references. It cannot occur as shown during a valid command sequence.
Figure 17. Program Operation Timings
Addresses
CE#
t
WC
0x555
PA
PA
PA
OE#
t
AS
t
AH
t
WPH
t
WP
t
GHWL
t
CS
WE#
Data
t
DS
t
DH
0xA0
PD
Status
t
WHWH1
RY/BY#
t
BUSY
t
RB
t
VCS
V
CC
Program Command Sequence (last two cycles)
Read Status Data (last two cycles)
D
OUT
t
CH
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PDF描述 |
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参数描述 |
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