IRS21135PBF

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IRS21135PBF
深圳市华芯盛世科技有限公司
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IRS21135PBF
深圳市金嘉旭贸易有限公司
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IRS21135PBF 技术参数

IRS2112STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr ShutDwn Inpt RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IRS2112SPBF 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 200mA 135ns RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IRS2112PBF 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr ShutDwn Inpt RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IRS2111STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Hlf Brdg Drvr Fixed 650ns Deadtime RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IRS2111SPBF 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 650ns 200mA RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IRS2117STRPBF IRS2118PBF IRS2118SPBF IRS2118STRPBF IRS2123SPBF IRS2123STRPBF IRS2124SPBF IRS2124STRPBF IRS21271PBF IRS21271SPBF IRS21271STRPBF IRS2127PBF IRS2127SPBF IRS2127STRPBF IRS21281PBF IRS21281SPBF IRS21281STRPBF IRS2128PBF