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IS25WP032A-JBLE-TR

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IS25WP032A-JBLE-TR 技术参数
  • IS25WP016D-JNLE 功能描述:IC FLASH 16MB QSPI 8SOP 150MIL E 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR 存储容量:16Mb (2M x 8) 时钟频率:133MHz 写周期时间 - 字,页:800μs 存储器接口:SPI - 四 I/O, QPI, DTR 电压 - 电源:1.65 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:100 IS25WP016D-JLLE 功能描述:IC FLASH 16MB QSPI WSON ET 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包装:托盘 零件状态:不適用於新設計 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR 存储容量:16Mb (2M x 8) 时钟频率:133MHz 写周期时间 - 字,页:800μs 存储器接口:SPI - 四 I/O, QPI, DTR 电压 - 电源:1.65 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-WFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(8x6) 标准包装:480 IS25WP016D-JKLE 功能描述:IC FLASH 16MB QSPI WSON ET 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包装:托盘 零件状态:在售 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR 存储容量:16Mb (2M x 8) 时钟频率:133MHz 写周期时间 - 字,页:800μs 存储器接口:SPI - 四 I/O, QPI, DTR 电压 - 电源:1.65 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(6x5) 标准包装:570 IS25WP016D-JBLE 功能描述:IC FLASH 16MB QSPI 8SOP 208MIL E 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR 存储容量:16Mb (2M x 8) 时钟频率:133MHz 写周期时间 - 字,页:800μs 存储器接口:SPI - 四 I/O, QPI, DTR 电压 - 电源:1.65 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.209",5.30mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:90 IS25WD040-JVLE-TR 功能描述:闪存 4M 1.65-1.95V 80Mhz Serial 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel IS25WP032D-JKLE-TR IS25WP032D-JLLE-TR IS25WP032D-JMLE-TR IS25WP032D-RMLE IS25WP064A-JBLE IS25WP064A-JBLE-TR IS25WP064A-JKLE IS25WP064A-JKLE-TR IS25WP064A-JLLE IS25WP064A-JLLE-TR IS25WP064A-JMLE IS25WP064A-JMLE-TR IS25WP064A-RHLE IS25WP064A-RHLE-TR IS25WP064A-RMLE IS25WP064-JBLE IS25WP080D-JBLE IS25WP080D-JBLE-TR
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