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IS42S32200C1-6BLI

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  • 制造商
  • Integrated Silicon Solution Inc
  • 功能描述
  • DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 2Mx32 3.3V 90-Pin Mini-BGA
IS42S32200C1-6BLI 技术参数
  • IS42S32200C1-55T-TR 功能描述:动态随机存取存储器 64M 2Mx32 183Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube IS42S32200C1-55TL-TR 功能描述:动态随机存取存储器 64M 2Mx32 183Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube IS42S32200C1-55TL 功能描述:动态随机存取存储器 64M 2Mx32 183Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube IS42S32200C1-55T 功能描述:动态随机存取存储器 64M 2Mx32 183Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube IS42S32160F-7TLI 功能描述:IC SDRAM 512MB 143MHZ 86TSOP 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:512M(16M x 32) 速度:143MHz 接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:86-TSOP II 标准包装:108 IS42S32200C1-7BL IS42S32200C1-7BLI IS42S32200C1-7BLI-TR IS42S32200C1-7BL-TR IS42S32200C1-7B-TR IS42S32200C1-7T IS42S32200C1-7TI IS42S32200C1-7TI-TR IS42S32200C1-7TL IS42S32200C1-7TLI IS42S32200C1-7TLI-TR IS42S32200C1-7TL-TR IS42S32200C1-7T-TR IS42S32200E-5TL IS42S32200E-5TL-TR IS42S32200E-6B IS42S32200E-6BI IS42S32200E-6BI-TR
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