IS43DR16640C-3DBI-TR

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IS43DR16640C-3DBI-TR
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖先生
电话：13612973190
地址：广东省深圳市华强北上航大厦西座410室
9000
ISSI
84-TFBGA
22+
-
原厂渠道，现货配单

IS43DR16640C-3DBI-TR
万三科技（深圳）有限公司
万三科技（深圳）有限公司
联系人：王小康
电话：181886423070755-21006672
地址：深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C
6500000
ISSI, Integrated Silicon
原厂原装
22+
-
万三科技秉承原装实单可议

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IS43DR16640C-3DBI-TR 技术参数

IS43DR16640C-25DBLI 功能描述:IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 84BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包装:托盘零件状态:在售格式 - 存储器:RAM 存储器类型:DDR2 SDRAM 存储容量:1G（64M x 16）速度:400MHz 接口:并联电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:84-TFBGA 供应商器件封装:84-TWBGA（8x12.5）标准包装:50 IS43DR16640C-25DBL 功能描述:IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 84BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包装:托盘零件状态:在售格式 - 存储器:RAM 存储器类型:DDR2 SDRAM 存储容量:1G（64M x 16）速度:400MHz 接口:并联电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）封装/外壳:84-TFBGA 供应商器件封装:84-TWBGA（8x12.5）标准包装:100 IS43DR16640B-3DBL-TR 功能描述:动态随机存取存储器 1G (64Mx16) 333MHz DDR2 1.8v RoHS:否制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube IS43DR16640B-3DBLI-TR 功能描述:动态随机存取存储器 1G (64Mx16) 333MHz DDR2 1.8v RoHS:否制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube IS43DR16640B-3DBLI 功能描述:动态随机存取存储器 1G (64Mx16) 333MHz DDR2 1.8v RoHS:否制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube IS43DR81280B-3DBLI IS43DR81280B-3DBLI-TR IS43DR81280B-3DBL-TR IS43DR81280C-25DBL IS43DR81280C-25DBLI IS43DR81280C-25DBLI-TR IS43DR81280C-3DBL IS43DR81280C-3DBLI IS43DR81280C-3DBLI-TR IS43DR82560B-3DBLI IS43DR82560C-25DBL IS43DR82560C-25DBLI IS43DR82560C-25DBLI-TR IS43DR82560C-3DBL IS43DR82560C-3DBLI IS43DR82560C-3DBLI-TR IS43DR86400C-25DBL IS43DR86400C-25DBLI