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IS61DDB22M36-300M3/M3L

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IS61DDB22M36-300M3/M3L 技术参数

IS61DDB22M18A-250M3L 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb 2Mx18 165ball RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS61DDB22M18A-250B4LI 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb, DDR II CIO Sync 静态随机存取存储器, 2M x 18 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS61DDB22M18-250M3L 功能描述:静态随机存取存储器 36M (2Mx18) 250ns DDR II Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS61DDB22M18-250M3 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb 2Mbx18 DDR II Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS61DDB21M36A-250M3L 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb 1Mx36 165ball DDR II Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS61DDB41M36C-250M3 IS61DDB41M36C-300M3LI IS61DDB42M18-250M3 IS61DDB42M18-250M3L IS61DDB42M18A-250M3L IS61DDB42M18C-250M3 IS61DDB42M18C-250M3L IS61DDB42M36A-300M3L IS61DDB44M18A-300M3L IS61DDB451236A-250M3L IS61DDP2B21M18A-400M3L IS61DDP2B21M36A-400M3L IS61DDP2B22M18A-400M3L IS61DDP2B22M36A-400M3L IS61DDP2B24M18A-400M3L IS61DDP2B251236A-400M3L IS61DDP2B41M18A-400M3L IS61DDP2B41M36A-400M3L