IS61LV12816AL-12TLI

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IS61LV12816AL-12TLI 技术参数

IS61LV10248-10T-TR 功能描述:静态随机存取存储器 8Mb 1Mb x 8 10ns RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS61LPS51236B-200TQLI 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包装:托盘零件状态:有效格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步存储容量:18M（512K x 36）速度:200MHz 接口:并联电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-LQFP（14x20）标准包装:72 IS61LPS51236B-200B3LI 功能描述:IC SRAM 8MBIT 200MHZ 165BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包装:托盘零件状态:有效格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步存储容量:18M（512K x 36）速度:200MHz 接口:并联电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:165-TBGA 供应商器件封装:165-TFBGA（13x15）标准包装:144 IS61LPS51236A-250B3-TR 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb 512Kx36 250MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS61LPS51236A-250B3LI-TR 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb 512Kx36 250MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS61LV12816L-10TI-TR IS61LV12816L-10TL IS61LV12816L-10TLI IS61LV12816L-10TLI-TR IS61LV12816L-10TL-TR IS61LV12816L-8TL IS61LV12816L-8TL-TR IS61LV12824-10B IS61LV12824-10BL IS61LV12824-10BL-TR IS61LV12824-10B-TR IS61LV12824-10TQ IS61LV12824-10TQI IS61LV12824-10TQI-TR IS61LV12824-10TQLI IS61LV12824-10TQLI-TR IS61LV12824-10TQ-TR IS61LV12824-8BL-TR