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IS66WVC2M16ECLL-7010BLI

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IS66WVC2M16ECLL-7010BLI
深圳市芯脉实业有限公司
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联系人：周小姐/曹先生/高先生
电话：137602720171348786585218520805148
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
375989
ISSI, Integrated Silicon
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IS66WVC2M16ECLL-7010BLI 技术参数

IS66WV51216EBLL-55TLI 功能描述:IC SRAM 8MB 55NS 2.5-3.6V 44TSOP 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包装:管件零件状态:有效格式 - 存储器:RAM 存储器类型:PSRAM（伪）存储容量:8M（512K x 16）速度:55ns 接口:并联电压 - 电源:2.5 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）供应商器件封装:44-TSOP II 标准包装:135 IS66WV51216EBLL-55BLI 功能描述:IC SRAM 8MB 55NS 2.5-3.6V 48BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包装:托盘零件状态:有效格式 - 存储器:RAM 存储器类型:PSRAM（伪）存储容量:8M（512K x 16）速度:55ns 接口:并联电压 - 电源:2.5 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:48-TFBGA 供应商器件封装:48-TFBGA（6x8）标准包装:480 IS66WV51216DBLL-70TLI-TR 功能描述:静态随机存取存储器 8Mb 512K x 16 70ns P静态随机存取存储器 2.5v-3.6v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS66WV51216DBLL-70TLI 功能描述:静态随机存取存储器 8Mb 512K x 16 70ns P静态随机存取存储器 2.5v-3.6v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS66WV51216DBLL-70BLI-TR 功能描述:静态随机存取存储器 8Mb 512K x 16 70ns P静态随机存取存储器 2.5v-3.6v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS66WVE1M16BLL-70BLI IS66WVE1M16BLL-70BLI-TR IS66WVE1M16EBLL-55BLI IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR IS66WVE1M16EBLL-70BLI IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR IS66WVE2M16ALL-7010BLI IS66WVE2M16ALL-7010BLI-TR IS66WVE2M16BLL-70BLI IS66WVE2M16BLL-70BLI-TR IS66WVE2M16DBLL-70BLI IS66WVE2M16DBLL-70BLI-TR IS66WVE2M16EALL-70BLI IS66WVE2M16EALL-70BLI-TR IS66WVE2M16EBLL-55BLI IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR IS66WVE2M16EBLL-70BLI IS66WVE2M16EBLL-70BLI-TR