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ISP1102AW-G
参数信息:

功能描述:射频收发器 USB FULL SPD TRNSCVR

RoHS:

制造商:Atmel

频率范围:2322 MHz to 2527 MHz

最大数据速率:2000 Kbps

调制格式:OQPSK

输出功率:4 dBm

类型:

工作电源电压:1.8 V to 3.6 V

最大工作温度:+ 85 C

接口类型:SPI

封装 / 箱体:QFN-32

封装:Tray

ISP1102AW-G技术参数

ISOW7844FDWE 功能描述:DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 16SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 技术:容性耦合 类型:通用 隔离式电源:是 通道数:4 输入 - 输入侧 1/输入侧 2:0/4 通道类型:单向 电压 - 隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/μs 数据速率:100Mbps 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):17.6ns,17.6ns 脉宽失真(最大):4.7ns 上升/下降时间(典型值):2ns, 2ns 电压 - 电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:40 ISOW7844DWE 功能描述:DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 16SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 技术:容性耦合 类型:通用 隔离式电源:是 通道数:4 输入 - 输入侧 1/输入侧 2:0/4 通道类型:单向 电压 - 隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/μs 数据速率:100Mbps 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):17.6ns,17.6ns 脉宽失真(最大):4.7ns 上升/下降时间(典型值):2ns, 2ns 电压 - 电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:40 ISOW7843FDWE 功能描述:HIGH-EFFICIENCY, LOW-EMISSIONS, 制造商:texas instruments 系列:* 包装:管件 零件状态:在售 封装/外壳:16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:40 ISOW7843DWE 功能描述:HIGH-EFFICIENCY, LOW-EMISSIONS, 制造商:texas instruments 系列:* 包装:管件 零件状态:在售 封装/外壳:16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:40 ISOW7842FDWE 功能描述:HIGH-EFFICIENCY, LOW-EMISSIONS, 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 技术:容性耦合 类型:通用 隔离式电源:是 通道数:4 输入 - 输入侧 1/输入侧 2:2/2 通道类型:单向 电压 - 隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/μs 数据速率:100Mbps 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):17.6ns,17.6ns 脉宽失真(最大):4.7ns 上升/下降时间(典型值):2ns, 2ns 电压 - 电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:40 ISP1105BSTS ISP1105WTM ISP1105WTS ISP1106DHAA ISP1106DHTM ISP1106WTM ISP1106WTS ISP1109BSFE ISP1109BS-S ISP1109BS-T ISP1110VH-T ISP1110VHTS ISP1112VHTM ISP1160BD01 ISP1160BD01FA ISP1160BD01TM ISP1160BM01FE ISP1160BM01-S

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