您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > I字母型号搜索 > I字母第267页 >

IX6S11S6T/R

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • IX6S11S6T/R
    IX6S11S6T/R

    IX6S11S6T/R

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008-1009室

    资质:营业执照

  • 5000

  • IXYS

  • 标准封装

  • 16+

  • -
  • 假一罚十

  • IX6S11S6T/R
    IX6S11S6T/R

    IX6S11S6T/R

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 2855

  • IXYS

  • 18-SOIC(0.295",7.50m

  • 1223+

  • -
  • 原装正品,现货库存!400-800-03...

  • IX6S11S6T/R
    IX6S11S6T/R

    IX6S11S6T/R

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:谭玉丽

    电话:19129491949(手机优先微信同号)0755-83267816

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

  • 10001

  • IXYS

  • 18-SOIC(0.295",7.50m

  • 12+

  • -
  • 授权分销 现货热卖

  • 1/1页 40条/页 共14条 
  • 1
IX6S11S6T/R PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 功率驱动器IC 6 Amps 35V 2.5 Rds
  • RoHS
  • 制造商
  • Micrel
  • 产品
  • MOSFET Gate Drivers
  • 类型
  • Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
  • 上升时间
  • 下降时间
  • 电源电压-最大
  • 30 V
  • 电源电压-最小
  • 2.75 V
  • 电源电流
  • 最大功率耗散
  • 最大工作温度
  • + 85 C
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • SOIC-8
  • 封装
  • Tube
IX6S11S6T/R 技术参数
  • IX6S11S6 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE 6A 18-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 IX6R11S6T/R 功能描述:功率驱动器IC 6 Amps 35V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IX6R11S6 功能描述:功率驱动器IC Half Bridge Chipset Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IX6R11S3T/R 功能描述:功率驱动器IC 6 Amps 35V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IX6R11S3 功能描述:功率驱动器IC Half Bridge Chipset Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXA20I1200PB IXA20IF1200HB IXA20PG1200DHGLB IXA20PG1200DHGLB-TRR IXA20RG1200DHGLB IXA20RG1200DHGLB-TRR IXA220I650NA IXA27IF1200HJ IXA30PG1200DHGLB IXA30PG1200DHGLB-TRR IXA30RG1200DHGLB IXA30RG1200DHGLB-TRR IXA33IF1200HB IXA37IF1200HJ IXA40PF1200TDHGLB IXA40PF1200TDHGLB-TRR IXA40PG1200DHGLB IXA40PG1200DHGLB-TRR
配单专家

在采购IX6S11S6T/R进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买IX6S11S6T/R产品风险,建议您在购买IX6S11S6T/R相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的IX6S11S6T/R信息由会员自行提供,IX6S11S6T/R内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号