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IXA17IF1200HJ
参数信息:

功能描述:IGBT 模块 XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBTs

RoHS:

制造商:Infineon Technologies

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:1.95 V

在25 C的连续集电极电流:230 A

栅极—射极漏泄电流:400 nA

功率耗散:445 W

最大工作温度:+ 125 C

封装 / 箱体:34MM

封装:

IXA17IF1200HJ技术参数

IX9908NTR 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage, Dimmable LED Driver with PFC Control IX9908N 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage, Dimmable LED Driver with PFC Control IX6S11S6T/R 功能描述:功率驱动器IC 6 Amps 35V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IX6S11S6 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE 6A 18-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 IX6R11S6T/R 功能描述:功率驱动器IC 6 Amps 35V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXA30PG1200DHGLB-TRR IXA30RG1200DHGLB IXA30RG1200DHGLB-TRR IXA33IF1200HB IXA37IF1200HJ IXA40PF1200TDHGLB IXA40PF1200TDHGLB-TRR IXA40PG1200DHGLB IXA40PG1200DHGLB-TRR IXA40RG1200DHGLB IXA40RG1200DHGLB-TRR IXA45IF1200HB IXA4I1200UC IXA4IF1200TC IXA4IF1200UC IXA531L4 IXA531L4T/R IXA531S10

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