IXBH9N140G

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说明
操作

IXBH9N140G
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
5000
IXYS
O6+
-
假一罚十，百分百原装正品

IXBH9N140G
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
IXYS
原厂封装
15+
-
原装正品，假一罚十

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1

您是不是要找： IXBH9N160G IXBK55N300 IXBK75N170 IXBK75N170A IXBL20N300C IXBL60N360 IXBL64N250 IXBN42N170A IXBN75N170

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制造商
IXYS
制造商全称
IXYS Corporation
功能描述
High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

IXBH9N140G 技术参数

IXBF14N250 功能描述:功率驱动器IC 28 Amps 2500V 4.0 V Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXBD4411SI 功能描述:功率驱动器IC 1/2Bridge2A RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXBD4411PI 功能描述:功率驱动器IC 1/2Bridge2A RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXBD4410SI 功能描述:功率驱动器IC 1/2Bridge2A RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXBD4410PI 功能描述:功率驱动器IC 1/2Bridge2A RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXBN75N170A IXBOD1-06 IXBOD1-07 IXBOD1-08 IXBOD1-09 IXBOD1-10 IXBOD1-12R IXBOD1-12RD IXBOD1-13R IXBOD1-13RD IXBOD1-14R IXBOD1-14RD IXBOD1-15R IXBOD1-15RD IXBOD1-16R IXBOD1-16RD IXBOD1-17R IXBOD1-17RD