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IXJ611S1T/R

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  • IXJ611S1T/R
    IXJ611S1T/R

    IXJ611S1T/R

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008-1009室

    资质:营业执照

  • 5000

  • IXYS

  • 标准封装

  • 16+

  • -
  • 假一罚十

  • IXJ611S1T/R
    IXJ611S1T/R

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 2855

  • IXYS

  • 8-SOIC

  • 1223+

  • -
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:谭玉丽

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    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

  • 10001

  • IXYS

  • 8-SOIC

  • 12+

  • -
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  • 功能描述
  • 功率驱动器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds
  • RoHS
  • 制造商
  • Micrel
  • 产品
  • MOSFET Gate Drivers
  • 类型
  • Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
  • 上升时间
  • 下降时间
  • 电源电压-最大
  • 30 V
  • 电源电压-最小
  • 2.75 V
  • 电源电流
  • 最大功率耗散
  • 最大工作温度
  • + 85 C
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • SOIC-8
  • 封装
  • Tube
IXJ611S1T/R 技术参数
  • IXJ611S1 功能描述:IC DRIVER HALF BRIDGE GATE 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 IXJ611P1 功能描述:IC DRIVER HALF BRIDGE GATE 8PDIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 IXI859S1T/R 功能描述:功率驱动器IC 0.12 Amps 20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXI859S1 功能描述:功率驱动器IC 0.12 Amps 20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXI858S1T/R 功能描述:功率驱动器IC 0.12 Amps 20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXKC40N60C IXKF40N60SCD1 IXKG25N80C IXKH20N60C5 IXKH24N60C5 IXKH30N60C5 IXKH35N60C5 IXKH47N60C IXKH70N60C5 IXKK85N60C IXKN40N60C IXKN45N80C IXKN75N60C IXKP10N60C5 IXKP10N60C5M IXKP13N60C5 IXKP13N60C5M IXKP20N60C5
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