IXTH05N250P3HV

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IXTH05N250P3HV 技术参数

IXS839S1T/R 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXS839S1 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXS839BQ2T/R 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXS839BQ2 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXS839AQ2T/R 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXTH110N25T IXTH11P50 IXTH120N15T IXTH120P065T IXTH12N100 IXTH12N100L IXTH12N100Q IXTH12N120 IXTH12N150 IXTH12N65X2 IXTH12N90 IXTH130N10T IXTH130N15T IXTH130N20T IXTH13N110 IXTH13N80 IXTH140P05T IXTH140P10T