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IXXN200N60B3

配单专家企业名单
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  • IXXN200N60B3H22+
    IXXN200N60B3H22+

    IXXN200N60B3H22+

  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人：王女士

    电话：13969210552

    地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）

    资质：营业执照

  • 4500

  • LITTLEFUSE

  • NA

  • 近两年

  • -

  • 查货可到京北通宇商城www.jbchip...

  • IXXN200N60B3
    IXXN200N60B3

    IXXN200N60B3

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人：张小姐

    电话：15961889159

    地址：江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质：营业执照

  • 10000

  • isc,iscsemi

  • SOT-227

  • 2024+

  • -

  • 国产品牌，可替代原装

  • IXXN200N60B3
    IXXN200N60B3

    IXXN200N60B3

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人：鑫科润

    电话：185210072361851602286718516022897

    地址：上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • IXYS

  • SOT-227B

  • 17+

  • -

  • 全新原装现货

  • IXXN200N60B3
    IXXN200N60B3

    IXXN200N60B3

  • 深圳市创芯弘科技有限公司
    深圳市创芯弘科技有限公司

    联系人：(2014年前十佳IC供应商)

    电话：13410000176

    地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......

    资质：营业执照

  • 569800

  • Littelfuse代理

  • 刚到货

  • 新批次

  • -

  • Littelfuse代理可含税开票

  • IXXN200N60B3
    IXXN200N60B3

    IXXN200N60B3

  • 中山市翔美达电子科技有限公司
    中山市翔美达电子科技有限公司

    联系人：朱小姐

    电话：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室

  • 9000

  • ON

  • SOP

  • 19+

  • -

  • 全新原装正品现货,QQ:15305808...

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  • 功能描述
  • IGBT 晶体管 XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Fairchild Semiconductor
  • 配置
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • 650 V
  • 集电极—射极饱和电压
  • 2.3 V
  • 栅极/发射极最大电压
  • 20 V
  • 在25 C的连续集电极电流
  • 150 A
  • 栅极—射极漏泄电流
  • 400 nA
  • 功率耗散
  • 187 W
  • 最大工作温度
  • 封装 / 箱体
  • TO-247
  • 封装
  • Tube
IXXN200N60B3 技术参数
  • IXS839S1T/R 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXS839S1 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXS839BQ2T/R 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXS839BQ2 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXS839AQ2T/R 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXXX200N60C3 IXXX200N65B4 IXXX300N60B3 IXXX300N60C3 IXYA50N65C3 IXYA8N90C3D1 IXYB82N120C3H1 IXYF30N450 IXYH100N65C3 IXYH10N170C IXYH10N170CV1 IXYH12N250C IXYH12N250CV1HV IXYH16N170C IXYH16N170CV1 IXYH16N250C IXYH16N250CV1HV IXYH20N120C3
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