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IRFU320

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  • 封装
  • 批号
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  • 说明
  • 操作
IRFU320 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-Chan 400V 3.1 Amp
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
IRFU320 技术参数
  • IRFP460 功能描述:MOSFET N-CH 500V 18.4A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18.4A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):270 毫欧 @ 9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):128nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2980pF @ 25V 功率 - 最大值:220W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 IRFP450 功能描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):380 毫欧 @ 7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):90nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2000pF @ 25V 功率 - 最大值:190W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 IRFP250 功能描述:MOSFET N-CH 200V 33A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):33A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):85 毫欧 @ 16A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):158nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2850pF @ 25V 功率 - 最大值:180W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 IRF840 功能描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):850 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):39nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):832pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF830 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.5 欧姆 @ 2.7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):610pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRFU3504ZPBF IRFU3518-701PBF IRFU3607-701PBF IRFU3607PBF IRFU3607TRL701P IRFU3704 IRFU3704PBF IRFU3704ZPBF IRFU3706 IRFU3706-701PBF IRFU3706PBF IRFU3707 IRFU3707PBF IRFU3707ZPBF IRFU3708 IRFU3708PBF IRFU3709 IRFU3709Z-701P
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